机译:低频噪声和脉冲电学测量证明了栅极泄漏电流对AlGaN / GaN HEMT的影响
机译:原位钝化与GaN缓冲优化相结合,可在Si(111)上的Si_3N_4 / AlGaN / GaN HEMT器件中实现极低的电流分散和极低的栅极泄漏
机译:用于AlGaN / GaN HEMT的多晶硅栅电极,具有高可靠性和低栅漏电流
机译:具有高和低栅极泄漏电流的ALGAN / GAN HEMT的栅极和漏极低频噪声
机译:机械应力对AlGaN / GaN HEMT性能的影响:沟道电阻和栅极电流。
机译:在6英寸N掺杂的低电阻率SiC基板上的常压P-GaN栅极AlGaN / GaN Hemts的高热耗散
机译:栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由低频噪声和脉冲电测量证明,栅极漏电流对alGaN / GaN HEmT的影响由脉冲I-V和低频噪声测量证明
机译:自对准aLD alOx T栅极绝缘体,用于siNx钝化alGaN / GaN HEmT中的栅极漏电流抑制